美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）成立于1999年，主要為高效率轉(zhuǎn)換應(yīng)用部署SiC晶體管和二極管解決方案，公司現(xiàn)任總裁兼首席執(zhí)行官Chris Dries和董事會于2009年收購了這家公司，聯(lián)合碳化硅(UnitedSiC)開發(fā)了創(chuàng)新的碳化硅(SiC) FET和二極管功率半導體，在電動汽車(EV)充電器、DC-DC轉(zhuǎn)換器和牽引變流器以及電信、服務(wù)器電源、變速電機驅(qū)動器和太陽能逆變器等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。
UnitedSiC采用獨特的堆疊式共源共柵技術(shù)，該技術(shù)將SiC JFET與硅MOSFET通過使用燒結(jié)銀芯片貼裝技術(shù)集成在同一封裝中，從SiC JFET獲得快速開關(guān)，高阻斷能力和低內(nèi)阻；從硅MOSFET獲得易用性和卓越的體二極管性能。
UnitedSiC的愿景是運用自身的創(chuàng)新器件技術(shù)加速SiC的普及，幫助客戶在最先進的應(yīng)用項目中實現(xiàn)業(yè)界革命性的能效水平。
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